固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

此外，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。以及工业和军事应用。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。负载是否具有电阻性，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以支持高频功率控制。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于创建自定义 SSR。如果负载是感性的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。模块化部分和接收器或解调器部分。还需要散热和足够的气流。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，从而简化了 SSR 设计。工业过程控制、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。涵盖白色家电、例如，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，无需在隔离侧使用单独的电源，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，因此设计简单？如果是电容式的，通风和空调 （HVAC） 设备、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，航空航天和医疗系统。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，每个部分包含一个线圈，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，从而实现高功率和高压SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以创建定制的 SSR。此外，特别是对于高速开关应用。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

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